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型号 PHKD6N02LT,518
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1
PHKD6N02LT,518 PDF
代理商 PHKD6N02LT,518
标准包装 2,500
系列 TrenchMOS™
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 3A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 950pF @ 10V
功率 - 最大 4.17W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 带卷 (TR)
其它名称 934056831518
PHKD6N02LT /T3
PHKD6N02LT /T3-ND
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